Значение слова дельта-легирование

Дельта-легирование или — внедрение тонкого легированного слоя в полупроводниковые кристаллы в полупроводниках выращенных эпитаксиальными методами. Для внерения легирующей примеси процесс роста останавливают и запускают газ с примесью. Толщина слоя составляет порядка 1 нм . Типичным примером δ-легирования является кремний (n-тип примеси) и бериллий (p-тип примеси) в GaAs/AlGaAs гетероструктурах с двумерным электронным газом . Дельта слой отделён от ДЭГ нелегированной областью называемой спэйсером . В таких структурах можно получить высокоподвижный ДЭГ с большей концентрацией, чем в однородно легированных полупроводниках.